上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證

碳化硅(SiC) MOSFET 日益普及的背后有一些關(guān)鍵的驅動(dòng)因素，包括充電站、太陽(yáng)能光伏(PV)、電動(dòng)汽車(chē)(EV)驅動(dòng)、不間斷電源(UPS)和電池儲能系統(BESS)等現代電力電子應用中對更高效率、更低能耗和更低總擁有成本日益旺盛的需求。

半導體器件是20世紀中期開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的， 具有體積小、 重量輕、使用壽命長(cháng)、 可靠性高、 輸入功率小和功率轉換效率高等優(yōu)點(diǎn) 因而在現代電子技術(shù)中得到廣泛的應用。

Q：MLCC電容是什么結構的呢？ A：多層陶瓷電容器是由印好電極（內電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一 次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極）制成的電容。

低阻值電阻因為阻值?。ê翚W級），測試儀器和測試方法與一般電阻不同，低 阻值電阻是采用四線(xiàn)測試法，儀器精度也比一般儀器精度要高。

齊納二極管是電子電路的一個(gè)基本構建模塊，其作用是在達到特定反向電壓（常稱(chēng)為齊納電壓）時(shí)允許大量電流反向流動(dòng)。達到或超過(guò)此反向擊穿電壓后，齊納二極管便以恒定基準電壓運行。