基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng)，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿(mǎn)足了市場(chǎng)對于高效高壓開(kāi)關(guān)器件不斷增長(cháng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動(dòng)應用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅動(dòng)（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業(yè)自動(dòng)化、功率逆變器、不間斷電源(UPS)、光伏(PV)串聯(lián)組件、EV充電以及感應加熱和焊接。 

        IGBT是一項相對成熟的技術(shù)。盡管如此，這些器件的市場(chǎng)預計將隨著(zhù)太陽(yáng)能面板和電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電器的日益普及而有所增長(cháng)。Nexperia的600 V IGBT采用穩健、經(jīng)濟高效的載流子儲存溝槽柵場(chǎng)截止(FS)結構，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開(kāi)關(guān)損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應加熱器、焊接設備和工業(yè)應用（如電機驅動(dòng)和伺服、機器人、電梯、機器操作手和工業(yè)自動(dòng)化等）的效率和可靠性。

        設計人員可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之間自由選擇。這些IGBT采用非常緊密的參數分布設計，允許多個(gè)器件安全地并聯(lián)連接。此外，與競品器件相比其熱阻更低，因此能夠提供更高的輸出功率。這些IGBT還并聯(lián)了全電流反向軟快恢復二極管。這意味著(zhù)它們適用于逆變器,整流器及雙向變換電路應用，在過(guò)流條件下更加穩健。

        Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通過(guò)發(fā)布IGBT，為設計人員提供了更多的電源開(kāi)關(guān)器件選擇，以滿(mǎn)足廣泛的電源應用需求。IGBT是對Nexperia現有的CMOS和寬帶隙開(kāi)關(guān)器件系列產(chǎn)品的理想補充，Nexperia由此可為功率電子設計師提供一站式服務(wù)。” 

        這些IGBT采用無(wú)鉛TO247-3L標準封裝，并通過(guò)嚴苛的HV-H3TRB質(zhì)量標準，適合室外應用。Nexperia計劃在本次產(chǎn)品發(fā)布后將推出1200 V IGBT系列器件。欲了解有關(guān)Nexperia IGBT的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://www.nexperia.com/igbts